Células fotovoltaicas são dispositivos capazes de transformar a energia luminosa, proveniente do Sol ou de outra fonte de luz, em energia elétrica. São geralmente constituídas por finas camadas de silício. O silício, porém, não é um metal e, portanto, não apresenta condutividade elevada. No entanto, pode-se alterar as características de condutividade das camadas de silício das placas fotovoltaicas através do processo de dopagem, que consiste em adicionar pequenas quantidades de impurezas ao retículo cristalino do silício. Para esta aplicação, é comum realizar dois tipos de dopagem: Tipo N e Tipo P. Na dopagem Tipo N, a impureza tem excesso de elétrons de valência em relação ao silício: os elétrons em excesso não têm a quem se ligar e ganham liberdade de movimento. Já na dopagem do Tipo $$P$$, a impureza tem deficiência de elétrons de valência em relação ao silício: quando misturados no reticulado de silício, formam "buracos" ou "lacunas" (que podem conduzir corrente) na rede cristalina e um elétron do silício não tem a que se ligar, essa ausência de elétron cria o efeito de uma carga positiva (daí o nome Tipo P). De acordo com o texto, pode-se afirmar que para produzir semicondutores Tipo $$\mathrm{P}$$ e Tipo $$\mathrm{N}$$, respectivamente, deve-se adicionar, à rede cristalina do silício, os elementos

Células fotovoltaicas são dispositivos capazes de transformar a energia luminosa, proveniente do Sol ou de outra fonte de luz, em energia elétrica. São geralmente constituídas por finas camadas de silício. O silício, porém, não é um metal e, portanto, não apresenta condutividade elevada. No entanto, pode-se alterar as características de condutividade das camadas de silício das placas fotovoltaicas através do processo de dopagem, que consiste em adicionar pequenas quantidades de impurezas ao retículo cristalino do silício. Para esta aplicação, é comum realizar dois tipos de dopagem: Tipo N e Tipo P. Na dopagem Tipo N, a impureza tem excesso de elétrons de valência em relação ao silício: os elétrons em excesso não têm a quem se ligar e ganham liberdade de movimento. Já na dopagem do Tipo 

, a impureza tem deficiência de elétrons de valência em relação ao silício: quando misturados no reticulado de silício, formam "buracos" ou "lacunas" (que podem conduzir corrente) na rede cristalina e um elétron do silício não tem a que se ligar, essa ausência de elétron cria o efeito de uma carga positiva (daí o nome Tipo P). De acordo com o texto, pode-se afirmar que para produzir semicondutores Tipo 

, respectivamente, deve-se adicionar, à rede cristalina do silício, os elementos

Questão sobre Ligações Químicas: Metálica

Disciplina Química

Química

Fonte UNIFOR

UNIFOR

BNCC 'EM13CNT301'

'EM13CNT301'

Assunto Ligações Químicas: Metálica

Ligações Químicas: Metálica

Dificuldade Médio

Médio

(UNIFOR 2017) - Questão Médio de Química